【摘 要】
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135 GaAs MMIC中基于Si3 N4的电容器的TDDB模型（A TDDB Model of Si3N4 Based Capacitors inGaAs MMICs）-1999 International ReliabilityPhysics Symposium pp．128－137． 首先研究
【机 构】
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135 GaAs MMIC中基于Si3 N4的电容器的TDDB模型（A TDDB Model of Si3N4 Based Capacitors inGaAs MMICs）-1999 International ReliabilityPhysics Symposium pp．128－137． 首先研究了金属－绝缘体－金属电容器 （MIMCAP）中氮化物电流传导与温度的关系。确定了氮化物的固有
TDDB Model of Si3N4 Based Capacitors inGaAs MMICs-1999 International Reliability Systems Symposium pp. 135 GaAs MMIC. 128-137. The relationship between nitride current conduction and temperature in metal-insulator-metal capacitor (MIMCAP) was first studied. The inherent nitride was identified
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