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提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon 和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016 cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.575 6 V,表面复合速度sn=4.8×103 cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011 cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13 cm2与σ-p≈2×10-12 cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论