硅单晶相关论文
纯化石英坩埚所用高纯石英砂,改变其中Na、K元素的含量,研究了石英坩埚中Na、K元素含量的不同对硅单晶拉制的影响。结果表明,降低N......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于1959年,1985年被国家教委批准为重点实验室,1987年11月通过国家级验收。实验室由阙端麟教授为......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
据《科技日报》2007年5月1日报道,一块月饼大小,硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块。这是晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳......
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......
采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层,实现了碲元素在硅中的N型掺杂,随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理,制备了......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
在大尺寸直拉硅单晶生长过程中,针对水平磁场单方向磁力线分布引起的熔体温度分布非轴对称特征,提出了一种双磁力线结构的磁场——......
本文介绍了半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势。
This article describes the current status of semiconductor silicon mat......
硅单晶是最重要的半导体材料，已渗透到国民经济和国防科技的各个领域，逐渐受到世界各国的广泛重视。极大规模集成电路的不断发展，对硅......
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺......
半导体材料对外来杂质是非常敏感的,不仅在半导体器件的制造过程中微量杂质的沾污能严重地影响元件性能,而且制成合格管芯后,表面......
引言 在以硅单晶为基础材料的半导体器件制造过程中,每当用HF去除硅表面SiO_2。层或用HF-HNO_3溶液对硅片进行化学清洗时,硅表面......
采用CZ法生长硅单晶时,其固体和熔体中的温度梯度是决定晶体生长速度的主要因素。生长速度、晶体直径和炉温三者之间存在着复杂的......
(一)砷化镓单晶中微沉淀物的EDS检测在早期的工作中曾对Ga As:Te和Ga As:Si中微缺陷的结构性质及其与杂质浓度的关系作了TEM研究,......
用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了......
近年来中科院上海冶金所围绕功能材料和器件开展了敏感材料和传感器的研究工作,并先后取得了一批成果。这些成果已分别通过了中国......
不纯的硅体,是由石英砂在电弧炉中与焦炭反应还原而制得,铁是硅体中主要的杂质,如果去铁,则需把硅体与盐酸反应,生成三氯氢硅,然后......
研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶......
本文详细介绍了厚度为0.5～1.0mm的硅片进行电阻率精密测量的误差分析,讨论了电阻率精密测量时不确定度的计算方法。
This paper in......
通过低温压痕和高温热处理实验，研究了硅单晶塑性变形产生的位错滑移特点以及氮杂质与位错的相互作用。实验结果表明，位错的滑移距离......
一、概述全自动四探针电阻率测试装置是为硅单晶电阻率标准量值传递而研制的,但也可以作为一般硅单晶片的电阻率测试用.该装置已于......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)由于其较高的开关速度、较低的功率损耗以及易于控制和驱动而广泛......
硅单晶现已广泛用于电子、电气、机械、仪表、制造、核动力工业和各种高技术研究领域,鉴于其在市场上的广泛应用及重要性,本文将先......
随着科学的飞速发展，出于提高生产率、降低成本的目的，器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后，大熔硅体......
随着硅单晶直径的增大和对其质量要求的提高，磁场拉晶已经成为生长大直径硅单晶的有效手段。实践证明磁场拉晶能较好地控制晶体中的......
通过外延生长得到的SiGe异质结构薄膜在高性能Si基器件上有着广泛的应用前景。近年来,随着低温Si缓冲层技术的提出,获得高质量、低......
结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧......
用扫描探针显微镜(SPM)观察了能量76keV、剂量1.7×10cm-2的N团簇离子注入Si(111)单晶表面的形貌。发现在此条件下,注入层已直接转......
晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及......
从金属-半导体-绝缘体-金属（MSIM）层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因．对于这种结构，......
氮团簇离子N1+0注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构,导致光学性质发生显著变化.在250—320nm波段的紫外光激励下,在330—50......
CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始......
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制单晶的情况。试验表明，密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氩气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量......
本文采用电感耦合等离子体发射光谱对硅晶材料中６种金属杂质的分析进行了研究。研究了基体硅对分析元素的干扰影响及校正。采用压力......
对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量......
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使......
本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明:晶体表面的P2O5保护层在晶体表......
高反压、大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大.大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条......
利用改进压轮法预制出与以往不同的(110)面[112]方向的平直裂纹采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子Kc,用扫描电镜分析裂纹面......
对国产设备试制及生产Φ〉７６．２ｍｍ无位错ＦＺ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。......
