硅片四探针电阻率精密测量误差分析

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sxj007

【摘要】

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本文详细介绍了厚度为0.5～1.0mm的硅片进行电阻率精密测量的误差分析,讨论了电阻率精密测量时不确定度的计算方法。 This paper introduces in detail the error analysis of

【作者】

：

袁隐李达汉

【机构】

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中国计量科学研究院,中国计量科学研究院

【出处】

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电子学报

【发表日期】

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1988年01期

【关键词】

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测量误差分析精密测量不确定度电阻率值针间距评定方法温度系数计算方法硅单晶片电阻

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本文详细介绍了厚度为0.5～1.0mm的硅片进行电阻率精密测量的误差分析,讨论了电阻率精密测量时不确定度的计算方法。 This paper introduces in detail the error analysis of resistivity measurement of the silicon wafer with the thickness of 0.5 ~ 1.0mm, and discusses the calculation method of the uncertainty in the precision measurement of the resistivity.

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