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本文用晶体区熔生长理论对激光加热基座法生长的单晶光纤形状稳定问题作了研究.说明了稳定生长的熔区长度与晶纤直径、源棒直径的......
采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出:多晶样品......
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中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......

