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期刊论文
热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响
热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响
来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:punk123456
【摘 要】
:
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶
【作 者】
:
任丙彦
张志成
刘彩池
郝秋艳
【机 构】
:
河北工业大学
【出 处】
:
材料研究学报
【发表日期】
:
2001年3期
【关键词】
:
硅单晶
直接法生长
氧含量
热场分布
热对流
数值模拟
CZSi
oxygen concentration
distribution of temperat
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为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
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