氢离子注入对Si-SiO2界面态密度的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ziyufenyang
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采用离子注入技术,可使栅氧化层的界面态密度从一般的10~(10)cm~(-2).eV~(-1)左右降到1×10~9cm~(-2).eV~(-1)以下.通过对比实验,找到在具体实验条件下的最佳离子注入剂量、退火温度和退火时间.用扩散理论和化学反应平衡理论解释了实验结果. Using ion implantation technology, the interface state density of the gate oxide can be reduced to about 1 × 10 ~ 9cm -2 from the normal 10 ~ (10) cm ~ (-2) .eV ~ (-1) ~ (-1) .Through comparative experiments, we found the best ion implantation dose, annealing temperature and annealing time under the specific experimental conditions.The experimental results were explained by diffusion theory and chemical reaction equilibrium theory.
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