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本文运用热力学关系估算了ＣｄＺｎＴｅ 熔体平衡分压。尝试以Ｃｄ１ － ｘＺｎｘ 合金源替代Ｃｄ 源控制Ｃｄ 分压和Ｚｎ 分压进行了Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体熔体生长，探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系。获得的Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体的电阻率接近１０１０Ω·ｃｍ ，高于同类方法文献报道１ ～２ 个数量级。晶体的结构完整性较好，平均腐蚀坑密度（ＥＰＤ） 为２ ×１０５ｃｍ － ２ ，纵向组成分布偏离度在４ ％ 左右，红外透过率大于６０ ％ ，晶体中第二相和沉淀物明显减少，优于仅采用Ｃｄ 分压控制的Ｃｄ０ ．８Ｚｎ０ ．２Ｔｅ 晶体。