GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wpsl5168
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通过激光剥离成功分离了 Ga N膜及其蓝宝石衬底。位于界面处的 Ga N吸收了波长 2 48nm的激光辐射 ,导致其热分解 ,产生 Ga和 N2 气。再将样品加热到 Ga的熔点 (2 9°C)以上 ,即可很方便地除去蓝宝石衬底。对于激光分离前后的 Ga N样品 ,进行了原子力显微镜 (AFM)和 X射线衍射实验 (XRD)的测量 ,证实了剥离过程并未改变 Ga N膜的质量。并进一步讨论了激光剥离的阈值能量密度和避免 Ga N膜破裂的几种方法。
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