适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ninikao

【摘要】

：

通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿

【作者】

：

赵宇航胡少坚任铮

【机构】

：

上海集成电路研发中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

RF MOSFET 射频 PSP模型衬底电阻 PSP model RF modeling RF MOSFETs substrate resistance

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通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器件的输出性能,模型精度确保使用频率可以达到20GHz以上.

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