PSP模型相关论文
相比于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,硅基CMOS工艺以其低成本、低功耗、易于系统集成等特点,已成为近年来集成电路设计的热点。另一方面,随......
随着金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件的尺寸不断缩小,漏电流(Leak......
MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以......
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可......
针对标准MOSFET的BSIM3和PsP模型在高压LDMOS建模上的不足，提出了基于PsP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I—V模型。在研究过程......
通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺......
旅游发展有时会给目的地带来负面影响,为了诊断其整体发展水平,采用"压力―状态―响应"框架模型,以内蒙古自治区四子王旗为例,来分......
随着CMOS技术发展至深纳米工艺级别,器件尺寸等比例缩小和电源电压持续降低引发了巨大的技术挑战。新材料和新技术取代传统CMOS制......
描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应：相邻PC（......
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)模型是GaN微波单片集成电路(MMIC)CAD的基础。现有的GaN HEMT物理模型未能解决载流子传输方程......
VLSI制造技术已发展到深纳米量级,无论器件还是芯片的性能都进一步得到提高,然而制造流程各环节引入的工艺波动对芯片电学性能的影......
随着VLSI工艺深入到纳米量级,MOSFET的沟道长度、宽度、结深、氧化层厚度等参数不断减小,而电源电压降低的速度则小于MOSFET尺寸缩......
当今无线通讯市场发展迅速，特别是近几年射频识别技术的迅猛发展，使得人们争先开展对射频集成电路的研究工作。由于人们对SOC的孜孜......
