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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及其模型在过去的几十年中一直是学术研究和工业应用的焦点。首要原因是它具有电荷密度大、电子......
Ⅲ-Ⅴ族化合物基异质结双极晶体管凭借其高功率密度以及高电子迁移率等特质被广泛用于射频、微波毫米波电路中。构建精确的器件等......
学位
随着电力电子应用要求的不断提高和应用领域的不断拓展,诸如航空航天、石油勘探和开采、清洁能源和国防安全建设等领域对电力电子......
该文给出了一种利用SPICE、VHDL和VHDL-AMS多种器件建模语言协同实现混合模式电路系统建模的新方法;同时提出了一种开放式的混合模......
因虚拟实验室可有效规避传统实验宣的缺点,突破时空限制,故应用HTML5技术开发实现了中学物理化学虚拟实验.基于HTML5开发完成的虚......
本文主要针对具有复杂特性的非线性电子器件无法建立模型或模型复杂的问题,提出了基于神经网络的分段建模方法,并对BP神经网络结构......
为了能够持续缩小MOSFET的工作电压,增加集成电路设计的灵活性,我们提出了一种铁电-金属-绝缘层-半导体-绝缘层(FMISI)结构的负电......
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus......
