【摘 要】
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本文主要研究了＂预制层硒化法＂制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu-Ga金属预制层,然后进行硒化（450℃）以及退火处理（550℃）。SEM结果表明,在室温下溅射沉积
【机 构】
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北京大学核物理与核技术国家重点实验室
【基金项目】
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北京市自然科学基金重点资助项目（No.H030630010120）
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本文主要研究了＂预制层硒化法＂制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu-Ga金属预制层,然后进行硒化（450℃）以及退火处理（550℃）。SEM结果表明,在室温下溅射沉积In薄膜,并且采用Mo/Cu-Ga/In/Cu-Ga/In的叠层顺序,可以获得平整致密的CIGS薄膜。XRD和SEM测量显示,以单质硒作为硒源,在450℃的硒化之后生成分离的CIS和CGS相,惰性氛围的高温退火可以使分离的CIS和CGS相互融合,形成均一化的CIGS四元化合物。在此基础上,最终完成的CIGS电池
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