Bandgap engineered novel g-C3N4/G/h-BN heterostructure for electronic applications

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baijiankai
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The effect of an external electric field on the bandgap is observed for two proposed heterostructures graphitic carbon nitride-graphene-hexagonal boron nitride(g-C3N4/G/h-BN) in hexagonal stack(AAA) and graphene-graphitic carbon nitridehexagonal boron nit
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