【摘 要】
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在相对于平面磁控溅射阴极均匀区范围内安放硅片,镀膜后进行膜层厚度测试,然后计算膜层厚度均匀度。结果,片间厚度均匀性为1%～-1.7%;炉间厚度均匀性为3.5%～-2%。
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【机 构】
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上海曙光机械制造厂 上海 200127
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在相对于平面磁控溅射阴极均匀区范围内安放硅片,镀膜后进行膜层厚度测试,然后计算膜层厚度均匀度。结果,片间厚度均匀性为1%～-1.7%;炉间厚度均匀性为3.5%～-2%。
Place the silicon film in the range of the cathode homogeneous area relative to the plane magnetron sputtering, measure the film thickness after coating, and then calculate the film thickness uniformity. As a result, the uniformity of the inter-chip thickness was 1% -1.7%, and the uniformity of the inter-furnace thickness was 3.5% -2%.
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