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基于严格的矢量耦合波方法，对13．4nm（92．5eV）软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算，结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高，同时也比目前用于13．4nm软X射线干涉光刻的Cr／Si3N4复合光栅高。本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法，可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题，适用于制作上海光源（SSRF）软X射线干涉光刻分束光栅。