【摘 要】
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本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(
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本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(77K)下NMOSFET的衬底电流比常温(300K)下增大了一个数量级。最后,分析了电场对衬底电流的影响,讨论了低温下衬底电流增大的物理机理。
This paper measured the substrate current of NMOSFET under low temperature (77K) as a function of bias voltage V GS, V DS and V BS and the relationship between substrate current and stress duration. And compared with room temperature (300K). The measurement results show that the substrate current of the NMOSFET increases by one order of magnitude under normal temperature (300K) at low temperature (77K). Finally, the influence of the electric field on the substrate current is analyzed, and the physical mechanism of the increase of substrate current at low temperature is discussed.
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