异质结晶体管相关论文
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条......
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自......
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减......
从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响。结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),......
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条......
基于器件Y参数,对Si/Si1-xGex HBT的高频噪声进行了模拟.Si/Si1-xGex HBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小.与Si BJT相比,......
对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都......
系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流......
在弛豫时间近似条件下，由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型．分析了能量（动量）方程中的各个物理量，考虑了......
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管（HBT），其ft超过70GHz，β〉120，并具有高线性、低噪声等特点，非常适合高频领域的应用。基于......
基于SOI技术原理，模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性，并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示，SOI结构中......
从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发......
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元......
设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bista......
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益.文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、......
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的HBT（异质结晶体管），其ft超过70 GHz，β〉120，高线性，低噪声，非常适合高频领域应用。本文基于SiGe BiCMOS......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法，湿计腐蚀的机理，腐蚀方法，影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异１质结晶体管中的应用。......
通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。......
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件......
为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入......
介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论；设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放......
提出了基于TSMC0．35μm锗硅（SiGe）BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器（OTA），充分利用了异质结晶体管（HBT）共射共基结构的大跨导、小寄生效应......
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP／GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其......
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP／InGaAs单异质结晶体管制作工艺中．在Vce=1．1V，Ic=33．5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1．4μm......
采用分子束外延方法生长了8nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字......
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了SiGe异质结晶体管(HBT)各时间常数模型;在考虑发射结空间电荷区载流子分布和集电结势垒区......
"硅光负阻器件的研究”、"高频高速硅光负阻器件的研究”是国家自然科学基金和天津自然科学基金资助的项目,由天津大学电子信息工......
Si的热导率比大部分化合物半导体（如GaAs）的热导率高，SiGeHBT在一个较宽的温度范围内稳定，SiGeHBT的发射结电压V雎的温度系数dVBE／dT比S......
随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出......
随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视.C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决......
测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以......
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能......
InGaP/GaAsHBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器，本文基于自主HBT工艺技术，借助GaAsMMIC......
随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合,对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工......
本文采用Win公司2μm GaAs HBT工艺设计一种高效率射频E类功率放大器。设计中采用了电压偏置的E类功放结构,通过负载牵引(Load-Pul......
设计HBTMMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要。为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重......
绝缘体上硅(SO1)结构能够降低寄生电容、减小漏电流、提高抗衬底噪声和串扰能力,硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)与Si兼容,速度快,成本......
锗硅(SiGe)异质结双极型晶体管(HBT)的截止频率fT很高，在宽带内具有非常低的噪声和高增益。由于这些特性，SiGe HBT工艺在射频微波集......
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器......
