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Si的热导率比大部分化合物半导体（如GaAs）的热导率高，SiGeHBT在一个较宽的温度范围内稳定，SiGeHBT的发射结电压V雎的温度系数dVBE／dT比Si的小，双异质结SiGeHBT本身具有热一电耦合自调能力，所加镇流电阻可以较小，所有这些使SiGeHBT比GaAsHBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGeHBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述，希望对从事微波功率SiGeHBT的研究者有所帮助。