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采用第一原理密度泛函理论研究了C原子在cu（200）表面吸附后的几何结构和电子结构，计算了C原子在Cu（200）表面的吸附能、Cu（200）表面的局部结构变化、表面电荷分布以及c原子吸附后的差分电荷密度。研究结果表明Cu（200）表面的Hollow位是C原子的最优吸附位，C原子与Cu原子之间形成化学键，在C原子和Cu表面之间存在电荷转移。