基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制

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【摘要】

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本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管（HEMT）器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,

【作者】

：

陈晓娟李诚瞻刘新宇罗卫军

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

SiC AlGaN/GaN HEMT 自热效应外延材料

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本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管（HEMT）器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,与蓝宝石衬底的器件相比,由于自热效应的有效改善,输出功率能力大大提高.

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