外延材料相关论文
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备”研制取得突破,我国首台具有......
众所周知,晶体三极管成品率由许多因素决定,如外延层的质量,杂质沾污,光刻质量等。本文主要讨论外延材料的缺陷对晶体三极管的影......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件......
蒋民华院士不仅是著名的教育家、科学家,也是我国产学研结合的典范。他怀揣高远的理想追求,具有开拓性的战略眼光,提早布局光电子......
从近几年的现实发展情况看,2002年前国内LED芯片完全依赖进口,2003年国家半导体照明工程启动后,GaN功率型芯片从无到有,并带动了小......
采用高电流注入条件下的载流子扩散方程和复折射率波导模型情况下的亥姆霍兹方程,对980nm高功率激光二极管外延材料的非对称和对称......
虽因疫情影响,半导体照明行业受到较大冲击,但基于LED的半导体照明技术仍然在更新换代中,更高效长寿命的外延材料、芯片、器件和封......
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子......
金刚石作为自然界中热导性最好的材料，在半导体行业的应用越来越广泛。随着LED行业的不断发展，金刚石芯LED也崭露头角。综述了自20世......
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不......
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应......
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更......
在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖......
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材......
InP是一种优良的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它广泛应用于微波毫米波器件领域。高电子迁移率晶体管（HEMT）是基于异质结调制掺杂发展起......
利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是......
本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管（HEMT）器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长,......
