光致发光谱相关论文
采用常压化学气相沉积（APCVD）法在SiO2/Si（300 nm）衬底上制备最大尺寸为74.22μm的多层二硫化钨（WS2）薄膜，并在蓝宝石衬底上合成边缘清晰......
采用高温熔融法，经过两步退火热处理，在钠硼铝硅酸盐玻璃基底中成功合成了晶粒尺寸为3.63~4.33 nm、掺杂体积分数为2%的PbSe 量子点......
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同......
报道了射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd2Sn_4(简称CTO)薄膜在0.2～6.0 μm波长范围内的透射和反射谱及其光致发光谱的测量结果,并......
采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层，并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳......
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
以氯化锌、草酸钠和多酚为原料,通过沉淀反应及调节多酚浓度制得形貌可控的二水草酸锌晶体,再通过热分解得到三维自组装纳米氧化锌......
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电......
本文阐述了合成纳米金刚石多晶（NPD）和天然金刚石多晶（Carbonado）的矿物学特征、DiamondViewTM荧光特征、红外光谱、拉曼光谱和光致发......
利用碳纳米管通过碳热法合成了氧化镓纳米线、纳米带和纳米片。采用扫描电镜和透射电镜对其进行了形态和结构表征。合成的氧化镓纳......
采用简单的电化学沉积方法,通过调节电解液浓度和pH值,在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发......
利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理。通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍......
采用激光烧蚀法,在不同功率条件下,制备出氧化锌纳米颗粒,并对其进行了尺寸表征、光致发光和拉曼光谱测量.结果表明:在不同功率条......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
本文用脉冲激光沉积技术（Pused laser deposition―PLD）成功的制备了镶嵌在非晶SiO2和高介电材料Lu2O3基体中的Ge纳米晶体,用ANSYS,R......
该文从固态物质的物态方程出发,找到了根据共价效应修正因子N和晶场参数Dq随温度变化的关系,从而满意地解释了Zn1-xMnxSe光谱的温......
电化学腐蚀高纯铝片制得的多孔氧化铝模板具有独特的规则有序的纳米孔阵列，在制备各类半导体纳米材料及器件方面具有广泛的应用前景......
二维材料因为其优良的电学、光学、热学等特性,激发了无数学者的研究热情,受到材料学领域的广泛关注。而二维材料的性质与层数、缺......
该论文主要研究了分子束外延(MBE)生长的硅掺杂n型氮化镓异质外延膜的光学、电学和光电性质,氮化镓的紫外光辅助电化学腐蚀,以及制......
作为一种有潜在吸引力的材料，多孔SiC(PSC)可以用来制备紫外发光二极管、灵敏光探测器、碳氢气体探测器和新颖的外延材料，目前被广泛......
我们对SnO_2:Sb和SnO_2:Mg薄膜的光电性质进行了相关研究。文章主要分为两部分。首先系统地研究了Sb掺杂浓度对SnO_2:Sb薄膜光电性......
掺杂是改变半导体物理性质的有效手段,将稀土离子掺杂到ZnO材料中可以引起ZnO的能带结构和载流子浓度的改变,同时利用稀土离子的4f......
白光二极管照明作为最有发展潜力的新型光源,具有广阔的市场和应用前景,并取得了飞速的发展。但由于商用的InGaN/YAG:Ce3+白光LED......
CdS/CdTe薄膜太阳能电池由于其高转化效率、性能稳定、成本低廉等优点得到了国际光伏界的广泛关注。其中CdS薄膜作为CdTe电池的N型......
ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族自激活的宽禁带半导体材料,是P6 mm点群对称的六角晶系纤锌矿晶体。室温下,其带隙宽度为3.3......
近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科......
In this article, using pollen grains and butterfly wings as templates, we fabricated the TiO2 replica of rape pollen gra......
最近,有机-无机卤化物钙钛矿材料由于其优异的光伏性能引起了人们极大的研究兴趣。本论文选择SnCl2和SrCl2改性钙钛矿得到性能更佳......
近几年，ZnO基半导体材料作为紫外光电子应用方面有前途的候选材料而成为光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件，关键技术之......
光子集成(PIC)及光电集成(OEIC)器件的制备中，量子阱混合技术(QWI)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调......
ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体(室温下，Eg～3.36eV)，之所以在学术界有如此火爆的研究态势皆因ZnO有无与伦比的光电应用前景。ZnO的......
半导体纳米晶体可以通过改变其径粒大小来调节它的光致发光谱及吸收谱的峰值位置及谱分布，突破了天然元素固定光谱的限制，更适合用于......
单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电领域等中的潜在应用而备受关注。而单层二硫化钼的大规模应用离不开大面......
纳米结构由于新颖的物理、化学和催化等特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今材料领域中十分重要的研究对象。水热法是指在特制......
主要研究了微纳结构的半导体材料ZnO/MgZnO单量子阱的光学性质，尤其是量子阱在强光激发下的室温光致发光谱随激发强度和阱宽的变化......
镶嵌在母体基体中的纳米晶会受到明显的应力作用。所以探究纳米晶在生长过程中受到的应力在对其光学和电学性能的影响,对未来的技......
ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以实现室温紫外激光发射。在大气条件下,Zn......
荧光和振动特性是半导体材料最重要物理性能之一,对其研究可以提供辐射在半导体中产生,传播及有关半导体能带结构、缺陷、电子、声......
氧化锌(Zinc oxide,简称Zn0)及相关的Zn(Mg,Cd)O材料体系作为新一代的紫外激发发射和发射激光器件备受关注。随着半导体器件的不断......
微电子学作为电子学的重要分支之一，是20世纪的伟大发明。目前，电荷特性是微电子器件研发的基本依据，而对电子输运性质的调控是微电子......
采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响.结果表明......
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激......
