霍尔迁移率相关论文
碳化硅(SiC)作为一种优异的第三代半导体材料,具有很多优良的电学和物理特性:禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、载流子饱和漂移......
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性......
纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺......
本文采用了分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上生长InAsSb/InAlSb异质结外延薄膜。样品采用了NBN异质结结构,来研究InAsSb/InAl......
采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC......
采用恒pH值共沉淀法, 制备了掺锡5 mol%的纳米α-Fe2O3粉体. 运用霍尔效应的原理, 在低真空、 高温(390～540 K)下用直流法测量了该......
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌（Co-ZnO）薄膜。研究了氧氩比对薄膜的结构、光学和电学性能的......
ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度......
采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现：与化学抛光后所测值相比，抛光前所测得......
结合莫特相变及类氢模型,采用浅施主能量弛豫方法,计算了一类常见n-Ga N光电子材料的载流子迁移率,给出了精确测定其刃、螺位错密......
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发......
CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔......
期刊
金属颗粒膜集单个金属颗粒的性质和互耦合纳米晶的集体性质于一身，表现出丰富的不同于块体材料的物理性质，在新型光电器件和光伏电池......
由于AlGaN/GaN异质结材料在高频、高能电子器件中具有广阔的应用前景,所以近几十年来该材料受到了人们的广泛关注。理论上,通过提......
随着板上系统技术的发展,在较低温度下制备具有高空穴迁移率的多晶锗硅(Si Ge)薄膜具有重要的研究意义。使用波长为532 nm的绿色脉......
在77K时的电子迁移率利用分凝作用是提高InSb纯度的关键办法。将经区熔提纯的晶绽中段切下来,在液氮温度下测量霍尔系数或零磁场......
针对红外光学系统的电磁屏蔽问题，利用射频磁控溅射法在蓝宝石基底上制备了在中红外波段具有高透过率的氧化铟锡（In2O3:Sn,ITO）导电薄......
采用低压化学气相沉积（LPCVD）在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明......
