Sb掺杂相关论文
提高钠离子电池正极材料的循环稳定性和比容量是实现其广泛应用的关键，基于引入特定杂元素可优化正极材料结构稳定性和比容量的策略......
近些年来,钙钛矿太阳能电池（perovskite solar cells,PSCs）因其出色的光电转换效率（Photoelectric Conversion Efficiency,PCE）引起了......
基于平面波赝势密度泛函理论，采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明，与本征SnO2 比较，Sb......
Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池，具有吸收性好、转换效率高以及抗衰退性能稳定等突出优点，被认为是最有前途的光伏器件之一。采用电......
丙烯酸是现代化工十分重要的基础原料和中间体之一。目前,工业上制丙烯酸主要以丙烯为原料,通过两步氧化制得。由于丙烯价格较为昂......
二氧化锡（Sn O2）是一种n型宽禁带半导体材料,具有优异的化学稳定性和特定的光电性能,是一种常用的透明导电材料,在太阳能电池、平板......
GaN是一种宽禁带直接带隙Ⅲ族氮化物半导体材料(3.4 eV),因其具有优良的光学、电学性质,且化学和物理稳定性好,而被广泛应用于光电......
Ag/SnO2电触头材料因其良好的综合应用性能,已成为低压电器领域大力发展和投产的一种新型无毒银基电接触材料。为进一步改善触头电......
二氧化锰（MnO2）由于具有容量高、环保、资源丰富且价格低廉等优点被认为是很有前景的超级电容器电极材料。然而，由于MnO2本身具有电导......
近年来,准一维纳米结构成为当今纳米科学的研究热点。它们既可以作为模型材料用于研究低维尺度下基本的物理过程,又可以作为组件构......
近年来CdSexTe1-x三元化合物薄膜由于光学带隙连续可调等原因,可以制备具有渐变带隙的光伏电池,因此受到了许多研究者的关注,目前......
SnO2是一种重要的n型半导体,在常温下其禁带宽度为3.6 eV。由于SnO2一维纳米材料具有特殊的气敏、透光和导电特性,在构造气敏传感......
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜......
采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学......
用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米ZnO,粒径约为15nm.探讨了Sb掺杂对ZnO光致发光峰的影响.随着掺杂量的提高,样品的发射峰从42......
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构......
