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GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jeff006902000

【摘 要】

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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用

【作 者】

：

刘斌 张荣 谢自力 修向前 李亮 刘成祥 韩平 郑有炓 

【机 构】

：

南京大学物理系

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

六方相InN MOCVD GAN缓冲层 

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2004AA311080,2003AA311060,2001AA311110),国家自然科学基金(批准号:60476030,60390070,60136020),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003)和江苏省自然科学基金重点(批准号:BK2003203)资助

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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL).通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质.通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.

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