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针对SI／SiGe p-MOSFET的虚拟SiGe衬底厚度较大（大于1μm）的问题，采用低温Si技术在Si缓冲层和虚拟SiGe衬底之间MBE生长低温-Si层。SiGe层应力通过低温-Si层释放，达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,Si0.8Ce0.2层厚度可减薄至300nm，其弛豫度大于85％，表面平均粗糙度仅为1．02nm。试制出应变Si／SiGe p-MOSFET器件，最大空穴迁移率达到112cm^2／Vs，其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟SiGe衬底的器件。