论文部分内容阅读
本文针对利用热微波切割法(TM-SOI)获得的SOI(Silicon On Insulator)硅片,采用HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度,获得高质量的SOI硅片。不但能够去除利用热微波切割法(TM-SOI)制备的SOI(Silicon On Insulator)层表面的损伤层、表面粗糙现象,同时能够获得极高表面平坦度的SOI硅片。