【摘 要】
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报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形成了适合纳米范围选择性生长的区域.研究发
【机 构】
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浙江省能源与核技术应用研究院,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
【基金项目】
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浙江省科技计划（2011F20021）,浙江省自然科学基金资助项目（LZ12F04002）
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报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形成了适合纳米范围选择性生长的区域.研究发现,该复合结构的制备过程与后续外延的工艺兼容.经封装后,在复合图形衬底上制造的LED芯片,其所测试的光通量比未添加SiO2纳米颗粒的微米图形衬底制造的LED光通量提高57％左右,而光输出功率则提高了17,8％.研究表明,在传统的微米图形衬底上加入SiO2纳米颗粒阵列不仅能够提供纳米级区域外延生长的模板,有效减少外延层的线位错密
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