光提取效率相关论文
微型发光二极管（Micro-LED）显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应，导致其正向光提取效率（LEE）降低，实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待......
作为节能环保重要环节之一,照明行业受到了国家产业政策的大力支持。然而,为了实现节能这个目标,LED照明器件的性能仍然需要进一步......
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）在环保、医疗、催化剂等领域有着广泛的应用。当前,蓝宝石衬底上的AlGaN基DUV LED的外量子效率（EQE......
有机发光二极管（OLED）具有环保、低功耗、宽色域、自发光特性,被广泛应用在显示和照明领域。目前,OLED的内量子效率几乎能达到100%,......
发光二极管作为第四代照明光源,具有寿命长、节能环保、色彩丰富等一系列优点。从其被发明到现在一直受到人们的追捧,其发光效率一......
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）在灭菌消毒、医学治疗、紫外加工和农业等领域具有很大的应用潜力。然而,具有高外量子效率（EQE）的DU......
为了提升氮化镓(GaN)基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的发光效率,设计工艺简单且成本低廉的领结型纳米银金属阵列,并将该......
为提高光子晶体(PC)发光二极管(LED)的光提取效率，引入AlGaN限制层的表面光子晶体LED(PCLED)和嵌入型PCLED两种模型，分析了两种结构......
为提高发光二极管(LED)的光提取效率，分析了光栅形状(矩形、等腰梯形、等腰三角形)对提取效率的影响；基于等效介质理论和严格耦合波......
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)具有低电压，全固态，耐冲击，耐高温，抗辐射，高效率，响应快，长寿命，无毒环保和光谱连续可调等特点，在紫外消......
目前紫外LED的波段逐渐往深紫外短波方向发展，辐照强度也往大功率方向发展。但短波长的深紫外LED光效仍然处于一个较低的水平，有效的......
针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追......
摘 要 本文重点介绍了影响有机电致发光器件（OLED）光提取效率的因素、OLED光提取技术的专利发展状况以及OLED光提取技术的典型结构。......
闪烁体为闪烁探测系统中的核心功能材料,可将无法直接探测的高能粒子及高能射线转化为光电探测器可接收的可见光或近紫外光,从而实......
随着半导体科学技术的日益发展,以GaN及其三元合金AlGaN为代表的氮化物材料凭借带隙宽度大、击穿电压高、化学稳定性优异等优点已......
发光二极管（LED）诞生于20世纪中期,发展至今,LED的应用已经是随处可见,被誉为人类的第四代照明器件。LED具备响应时间短、光谱可调范......
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和......
GaN基材料的禁带宽度从0.78eV-6.2eV连续可调,可以用来制备从紫外到红外的全色系发光二极管(LED)。GaN基LED的出现,使得白光LED的......
半导体发光二极管(light-emitting diodes，LEDs)，通常称之为LED，是一种具有高电光转换效率的新型固态照明器件，其中GaN基蓝光LED是制备......
21世纪光电技术发展日新月异。LED是现代光电子装备中的核心器件。LED靠半导体中的电子-空穴对自发辐射复合发光。作为一种半导体......
这些年来,随着半导体照明的不断深入发展,LED以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注.半导体照明产品中的核心组......
为了改善因为铟锡氧化物(ITO)薄层对紫外光具有高吸收率,从而导致石墨烯紫外LED低光提取效率(LEE)问题,采用ITO微纳结构(矩形和三......
报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形......
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底（PSS）,使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN......
针对提高发光二极管（LED）光提取率问题，利用LED的发光和表面等离子原理，采用严密耦合波计算方法，在LED表面添加金属周期性亚波长微结构，......
在发光二极管(LED)上制作光子光栅结构将会提高LED的光提取效率,这使得LED应用范围更广。根据时域有限差分法(FDTD)数值计算方法,......
为提高氮化镓（Ga N）基发光二极管（LED）的光提取效率,基于等效介质理论设计了底面100%占空比、半径为320 nm的正方形孔径纳米半球阵列。......
本文介绍了外部量子效率为14．5％，光效为31．2流明／瓦的全荧光白光OLED器件。该器件的色座标为（0．387，0．381），完全符合美国能源部能源之星在4000......
GaN基LED以每年消耗超过500万片相当于2in的衬底片成为氮化物材料的最主要用户，其器件产值达到35亿美元。LED的下一个挑战是使市场......
为了提高倒装发光二极管(LED)光提取效率的同时实现单偏振光输出,建立了正装、倒装和集成金属亚波长光栅倒装LED3种模型,采用RSOFT......
给出了用蒙特卡罗射线追踪法模拟发光二极管（LED）光提取效率的过程，并对表面织构LED的光提取效率进行了模拟分析，得到存在一组优化的表......
有机发光二极管（0LED）的发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料（ITO／有机物）对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分（FDTD）法，对在O......
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率，本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型，利用时域有限差分法对两种模型进行......
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本......
影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型，利用蒙特卡罗方法进行光......
深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有......
发光二极管（LED）具有诸多优点，被人们看作是下一代照明器件．为了提高LED的光提取效率，使用蒙特卡罗方法，通过计算机编程．模拟了正装GaN基......
Ⅲ族氮化物基紫外LED由于具有开关速度快、寿命长和光谱窄等优点,使其在UV固化、光刻、防伪检测、水净化和医疗诊断等领域具有广阔......
闪烁探测系统是由闪烁体、光电倍增管及电子信号放大仪器等主要部分组成,其基本原理是:闪烁体与射线或入射粒子相互作用,产生可见......
采用蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层......
为了提高GaN基LED的光提取效率,构建了一种在金属银膜上下表面分别刻蚀光栅结构的双光栅LED模型。利用时域有限差分法(FDTD)进行数......
为了提高GaN基LED芯片的光提取效率,以GaN基LED芯片为研究对象,建立了在蓝宝石衬底出光面和外延生长面上具有半球型图形的LED倒装......
为了提高倒装发光二极管(LED)的光提取效率,提出在蓝宝石衬底出光面上制备一层SiO2介质光栅,形成表面光栅倒装LED结构。利用RSOFT......
通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光......
设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比,在正向电流20mA下,其光功率......
<正>紫外波段依据波长通常可以划分为:长波紫外或UVA（320<λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280<λ≤320nm）、短波紫外或UVC（200<λ≤280 nm）以......
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，......
