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本文是为建立一个更合理异质结构模型所作努力的第三篇文章：提出了一种不采用“耗尽层近似”和“准平衡近似”而单独求解异质结Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的新方法，为异质结空间电荷区性能设计提供了一个严格而简便的新途径。
稳态大注入突变异质结Poisson方程理论
【摘 要】
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本文是为建立一个更合理异质结构模型所作努力的第三篇文章：提出了一种不采用“耗尽层近似”和“准平衡近似”而单独求解异质结Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的新方法，为异质结空间电荷区性能设计提供了
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年2期
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