【摘 要】
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2.3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用,2009年报道了栅宽为20 mm的5 A/1 100 V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用[39],器件特点是,栅下F等离
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2.3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用,2009年报道了栅宽为20 mm的5 A/1 100 V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用[39],器件特点是,栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。栅长为1.5μm,栅漏间距为12μm,栅宽为200μm的小栅宽器件,
2.3 Gate wide device gate width normally closed GaN power switching device is the development of engineering applications, in 2009 reported a gate width of 20 mm 5 A / 1 100 V normally off GaN power switching devices in the boost converter Applications [39], the device features, under-gate F-plasma processing and gate and source dual field plate structure. A gate length of 1.5μm, a gate-drain pitch of 12μm and a gate width of 200μm,
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