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设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列，阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB，阵列的串扰为-12～-19．8dB，光开关阵列的开关速度小于30μs，单个开关元的功耗大约为330mW。
SOI热光4×4光开关阵列的研制
【摘 要】
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设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列，阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB，阵列的串扰为-12～-19．8dB，光开关阵
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年12期
【基金项目】
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国家基础研究重点发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66) ,,国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 ),,国家自然科学基金 (批准号 :60 3 3 60 10 )资助项目~~
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