论文部分内容阅读
采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术，制备α-SiOx：H（0〈x〈2）薄膜，经高温退火形成纳米硅晶粒（nc-Si）埋入SiO2基质的复合膜nc-Si／SiO2．采用简并四波混频技术（DFWM），研究nc-Si／SiO2复合膜的非线性光学性质，观察到这种纳米薄膜材料的位相共轭信号，测得样品在光波波长在589nm处的三阶非线性极化率为X^（3）=5．6×10^-6esu，并分析其光学非线性增强机理．