【摘 要】
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硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极具有良好的电化学性能,是一种理想的电极材料.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱对制得的BDD电极的结构进行了表征.电极表面薄膜生长致密,
【机 构】
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哈尔滨商业大学药学院,哈尔滨,150076
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硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极具有良好的电化学性能,是一种理想的电极材料.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱对制得的BDD电极的结构进行了表征.电极表面薄膜生长致密,晶体生长取向以(111)晶面为主,生长速率为2.8μm/h,晶格常数为3.5738A.利用循环伏安法(CV)研究了BDD电极在铁氰化钾/亚铁氰化钾体系中氧化还原反应的可逆性和动力学特征.研究结果表明,在铁氰化钾/亚铁氰化钾的浓度为20mmol/L条件下,BDD电极的氧化还原峰电势差达到205.75mV,在溶液中电极的氧化还原反应属于准可逆反应,氧化峰电流与反应物浓度成正比,电极过程动力学是受扩散控制为主.
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