【摘 要】
：
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结
【基金项目】
：
国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)
论文部分内容阅读
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的I-V,C-V特性及I-V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3G-SiC/p-Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p-Si异质结构的I-V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上.室温下Al电极3C-SiC/p-Si二极管的最大反向
其他文献
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对
在已有理论模型的基础上讨论了基质晶体离子质量差异对激活离子声子参助能量传递几率的影响.结果表明基质离子的质量差异除了导致声子频率的变化从而影响其声子参助能量传递
采用湿法在碱土硫化物为基质的红色长余辉发光材料Ca0.8Sr0.2S:Eu2+,Tm3+表面包覆一层惰性的氧化物膜,使其与外界的环境相隔离,从而提高其化学稳定性.用XRD、SEM及能谱表征了
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结
在对PbWO4闪烁晶体的光谱特性、发光衰减及其温度依赖以及热释光的研究基础上,并结合理论计算,提出了PbWO4晶体发光的动力学模型,给出了PbWO4晶体的基本能带结构及激子发光中