【摘 要】
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采用两波耦合非同时读出实验装置,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce:KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律,讨论了光扇的入射光强
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
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采用两波耦合非同时读出实验装置,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce:KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响.结果表明:632.8 nm He-Ne激光在Ce:KNSBN晶体中写入体光栅时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,当入射光强大于30 mW/cm2时,才存在强烈的光扇效应.利用修正耦合波方程对Ce:KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔△t的变化进行了模拟计算,理论模拟结果与实验测量结果基本一致.
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