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谐振隧穿二极管（RTD）具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点，在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性，使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品，对其直流特性进行了测试分析，器件的最大电流峰谷比（PVCR）达到了17．8。