【摘 要】
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采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片
【机 构】
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中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室
【基金项目】
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国家863计划, 苏州市科技发展技术项目（SH2014024）
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采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片进行了一系列的光电性能测试,实验结果表明,巴条器件的阈值电流为10 A,斜率效率为0.8 W/A,最大转化效率为40%。在80 A电流下,巴条的输出功率可达55.6 W。发光点测试结果表明,巴条上面的20个单芯片全部激射出光。单芯片的光电测试结果表明,单管器件的阈值电流为0.5 A,最大光电转化效率为51%。在10 A
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