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本文介绍用砷离子通过薄二氧化硅层注入单晶硅制备高浓度浅结的方法.文中较系统地测量和分析了砷离子注入二氧化硅及通过薄二氧化硅层注入单晶硅的杂质浓度分布、扩散系数、电阻率、结深等.与砷直接注入相比,此方法作出的硅表面平整,减少了污染,且损伤小,电激活效率高.
砷离子通过薄二氧化硅层注入单晶硅制备高浓度浅结的研究
【摘 要】
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本文介绍用砷离子通过薄二氧化硅层注入单晶硅制备高浓度浅结的方法.文中较系统地测量和分析了砷离子注入二氧化硅及通过薄二氧化硅层注入单晶硅的杂质浓度分布、扩散系数、
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京半导体器件研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1985年01期
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