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采用相同生长结构的MOCVD外延片，研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵，发射及接收波长相同，由谐振腔模式决定，采用双氧化电流限制结构，优化串联电阻，提高电光转换效率，制备980nm波段发光器件及1×16列阵芯片，发射谱线半宽≤4．8nm，注入电流为50mA时，发射功率为0．7mW。对列阵芯征用探针进行在线检测，器件均有良好的发光特性。接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性，谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节。通过腐蚀器件顶部DBR的方法调节入射镜反射率，可