【摘 要】
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首次报道了一种稳定工作的二次模半导体激光器,该器件具有全新的远场特性。该器件的设计中采用了模式扩展层结构。利用模式扩展层抑制基模,加强二次模,并避免了模式不稳定的
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首次报道了一种稳定工作的二次模半导体激光器,该器件具有全新的远场特性。该器件的设计中采用了模式扩展层结构。利用模式扩展层抑制基模,加强二次模,并避免了模式不稳定的问题。使用常规的工艺手段成功制作了该器件,初步测试结果显示该器件的模式稳定,远场光斑为对称的三瓣结构,并且光功率与阈值电流均为正常水平。这种新器件的研制成功表明,这种特殊的器件结构能够造成半导体激光器的远场模式,而特殊的远场模式可能带来一些新的应用。
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