低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hfxwh6
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法.聚酰亚胺膜厚11.5 μm的低阻硅(0.5 Ω·cm)上的共面波导传输线在10 GHz下插入损耗为3.5 dB/cm.然而,相同衬底上,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在10 GHz下插入损耗为50 dB/cm,损耗特性明显比前者差.测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低.
其他文献
提出了MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法.通过在MOS C-t瞬态曲线上读取n个不同时刻的电容值,确定出相应的少子产生寿命值.该方法基于最小二乘法原理,可
对新型热水锅炉前管板裂纹、烟管管端裂纹问题进行了探析,并提出了处理措施及防范对策。
在深亚微米MOS集成电路制造中,等离子体工艺已经成为主流工艺.而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素.文中主要讨论了等