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研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列项部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖项部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点.
场致发射阵列制作工艺的研究
【摘 要】
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研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列项部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖项部的SiO2绝缘层的去除方法,并
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,SurfaceandInterfaceDivisionDepartmentofManufacturingSystemsMechanicalEngineeringLa
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2001年3期
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