短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究

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【摘要】

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利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模

【作者】

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赵少峰易扬波

【机构】

：

东南大学集成电路学院,东南大学集成电路学院南京

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

短沟道工艺模拟铝栅CMOS工艺

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利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.流片测试的阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.

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