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<正> 美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是,微测辐
单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法
【摘 要】
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<正> 美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2004年10期
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