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设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器，详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数，本振频率为900MHz。芯片采用0．18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明，混频器的转换增益约为8dB，单边带噪声系数约为11dB，输人参考三阶交调点（IIP3）约为10．5dBm。芯片工作在1．8V电源电压下，消耗的电流为10mA，芯片总面积为0．63mm×0．78mm。