AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究

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【摘要】

：

报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA.对器件的跨导特性

【作者】

：

王勇冯震张志国

【机构】

：

中电科集团公司第十三研究所,中电科集团公司第十三研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2005年12期

【关键词】

：

ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管跨导特性直流特性 AlGaN/GaN HEMT transconductance characteristics

【基金项目】

：

科技部科研项目

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报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA.对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件.同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz.

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