有机电致发光器件中由缓冲层薄膜诱导产生的空穴传输层薄膜的结晶化

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：catbull

【摘要】

：

有机薄膜层的结晶是有机电致发光器件衰减的主要机理之一.研究发现以CuPc做为缓冲层时比没有缓冲层时NPB薄膜更容易结晶,CuPc对NPB薄膜具有诱导结晶作用.通过原子力显微镜(AF

【作者】

：

徐芹芹张吉东陈江山马东阁闫东航

【机构】

：

中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

有机薄膜结晶 AFM 衰减有机电致发光器件 organic thin films crystallization AFM degradation O

【基金项目】

：

国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

有机薄膜层的结晶是有机电致发光器件衰减的主要机理之一.研究发现以CuPc做为缓冲层时比没有缓冲层时NPB薄膜更容易结晶,CuPc对NPB薄膜具有诱导结晶作用.通过原子力显微镜(AFM)以及宽角X射线衍射(WAXED)详细研究了不同厚度、不同颗粒大小的缓冲层CuPc薄膜对空穴传输层NPB薄膜的结晶诱导作用.这个发现为以下结论提供了证据,以CuPc薄膜做为缓冲层的0LED器件的长期衰减可部分归结于由缓冲层CuPc引起的空穴传输层NPB薄膜的结晶.

其他文献

锡催化剂助生长法制备孪晶ZnO纳米线及其结构表征

用SnO和Zn的均匀混合物在高温下共烧通过VLS机制制备出孪晶ZnO纳米线的均匀结构。SEM图像显示孪晶ZnO纳米线的直径在100～200nm之间，长度在几十微米到几百微米之间的范围内，有的

期刊

氧化锌孪晶纳米线ZnO twin-crystal nanowires

ZnO亚微米和微米棒的晶体生长及发光性质

用硝酸锌Zn(NO3)2·4 H2O和六亚甲基四胺(CH2)6N4,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角形亚微米和微米棒(长5～6μm,直径0.8～5 μm).生长时间达两天后,ZnO棒呈中空六角

期刊

ZNO微米棒发光水热法ZnO microrod luminescence aqueous growth method with thermal d

磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性

采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法（ICP—PVD）在Si（100）和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的（002）衍射峰，表明Zn0.95Co0.05O薄膜为c轴择优取向生

期刊

ZnO薄膜CO掺杂溅射沉积光学特性ZnO thin film Co-doped sputtering deposition optical pro

锗酸锌锰荧光体发光学与荧光瞬态衰减研究

制备一系列锗酸锌锰荧光体,并探讨其发光特性、瞬态荧光衰减与色度值与所掺杂锰离子含量之间的相互关系.本系列荧光体锰离子发射峰波长,随M2+含量由0增加0.05,由527 nm红移至

期刊

锗酸锌锰荧光体荧光瞬态衰减光致发光光谱色度坐标值Zn2GeO4∶xMn phosphors time-resolved fluorescence de

多孔硅光致发光峰半峰全宽的压缩

硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的。目前已有的使硅产生发光的方法有：掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si／SiO2超晶格。声空化所引发的特殊的物

期刊

多孔硅光致发光超声声空化porous silicon photoluminescence ultrasonic sonic-vacating

GaN基白光LED的结温测量

用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温，获得了较为准确的结温，误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下，得到了正向电压与结温的线性

期刊

GAN基白光LED结温正向电压管脚温度电致发光谱GaN-based white LED junction temperature forwar

有机电致发光器件中由缓冲层薄膜诱导产生的空穴传输层薄膜的结晶化

其他学术论文