SiO2微球模板制备多孔硅与其热电性能研究

来源 :河北师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hofox

【摘要】

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利用SiO2微球模板法腐蚀Si片,发现不仅提高了腐蚀速率,而且孔洞更加均匀,孔隙率和有序性有所提高.对所制备的多孔硅进行性能测试结果表明,随腐蚀时间增加热导率降低.与相同时

【作者】

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刘晓伟郭文哲翟晓霞甄聪棉马丽侯登录

【机构】

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河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北省新型薄膜材料实验室,石家庄理工职业学院基础部

【出处】

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河北师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2016年3期

【关键词】

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热电材料多孔硅 SiO2微球模板热电性能热导率 thermoelectric material porous silicon SiO2nanosphere

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利用SiO2微球模板法腐蚀Si片,发现不仅提高了腐蚀速率,而且孔洞更加均匀,孔隙率和有序性有所提高.对所制备的多孔硅进行性能测试结果表明,随腐蚀时间增加热导率降低.与相同时间无模板直接化学腐蚀多孔硅相比,SiO2微球模板法得到的多孔硅有更低的热导率.将多孔硅腐蚀时间75min与腐蚀时间90min进行比较,样品的激活能由100.49meV增加到174.19meV,电阻率略有上升.

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